مشخصات ماسفت VBP112MC30
ماسفت VBP112MC30 از خانواده
ترانزیستور - FET - ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس
دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- اصالت Genuine
- منبع تأییدشده YES
- برند VBsemi
- بسته بندی Unpacked
- ماهیت محصول VBP112MC30
- نوع FET N-CH Single
- جریان درین (Id) (حداکثر) 30A
- ولتاژ درین سورس (Vdss) 1200V
- حداکثر Rds در حالت روشن در Id و Vgs 0.080 Ohm @ 30A/18V
- حداکثر آستانه Vgs در Id 4.5V @ 10mA
- حداکثر بار گیت در Vds 101nC @18V
- حداکثر خازن ورودی در Vds 3000pF @ 800V
- اتلاف توان 320W(Tc)
- مارکینگ VBP112MC30
- پکیج TO-247
- نوع نصب Through Hole
- دمای عملکرد -55°C ~ +175°C (Tj)
- وضعیت تولید Active
- ویژگی خاص Avalanche/Silicon Carbide
متوسط امتیاز ها :
0
0 رأیهیچ دیدگاهی وجود ندارد
شما اولین نفری باشید که نظر خود را به اشتراک می گذارد. دیدگاه شما میتواند برای دیگران مفید باشد.